9月8日，赛迪顾问在京发布《第四代半导体前沿技术预测预见研究》 。报告指出 ，氧化镓、氮化铝 、金刚石三大超宽禁带材料正迎来衬底大尺寸化 、外延突破及器件商业化全链条加速 ，未来五年将从研发验证迈入规模商用，SBD上车、常关型MOSFET量产为标志性节点 。竞争焦点已从材料性能转向衬底-外延-器件-封装全链协同与成本控制。应用上 ，深紫外杀菌 、快充光伏等低门槛场景率先渗透 ，新能源汽车 、数据中心稳步推进，轨道交通、航空航天长期替代 ，三类场景阶梯式放量 。第四代半导体核心价值正从性能追平转向对硅基与第三代器件在高压高频极端环境下的代际颠覆 。
（文章来源：科创板日报）
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